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2N3019中文资料PDF规格书

2N3019
厂商型号

2N3019

参数属性

2N3019 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO39

功能描述

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

文件大小

144.22 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Micro Electronics
企业简称

MICRO-ELECTRONICS

中文名称

Micro Electronics官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-30 10:36:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N3019(S)

  • 别名:

    2N3019三极管、2N3019晶体管、2N3019晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    140

  • htest:

    100000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    .8

2N3019规格书详情

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

产品属性

  • 产品编号:

    2N3019

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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