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2N3019CSM_03

HIGH FREQUENCY, NPN TRANSISTOR

文件:20.91 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3019DCSM

DUAL HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTORS IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

文件:20.72 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N3019RB

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39

文件:15.35 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3019S

Silicon NPN Transistor

文件:200.41 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

2N3019S_02

Silicon NPN Transistor

文件:200.41 Kbytes 页数:2 Pages

SEMICOA

2N3019SJANTX

Low Power Transistors

文件:112.73 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N3019A

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N3019(S)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    140

  • htest:

    100000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

产品属性

  • 产品编号:

    2N3019

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO39

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N3019供应商 更新时间2026-1-18 8:11:00