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2N2986	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2986	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE Small Signal Transistors 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2987	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE Small Signal Transistors 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2987	文件：116.97 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-FREQUENCY INTERMEDIATE-POWER TRANSISTORS HIGH-FREQUENCY INTERMEDIATE-POWER TRANSISTORS • 15 Watts at 100°C Case Temperature • Typ VCE,,at) of 0.2 V at 200mA • Typ VBE of 0.8 V at 200 mA • Typ fT of 50 MHz at 10 V, 100mA 文件：116.97 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N2983
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
155V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS48,BUX49,BUX50,BUX51,BUX52,BUX53,BUY41,2N3440,2SD625,2G072D,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
β>20
图片代号：
C-40
vtest：
155
htest：
60000000
atest：
3
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N2983
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100µA， 500µA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-5AA
描述：
SMALL-SIGNAL BJT

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