2N292分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N292 |
| 参数属性 | 2N292 封装/外壳为TO-78-6 金属罐；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 |
| 功能描述 | alloy-junction germanium transistors |
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 文件大小 |
267.79 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ETC List of Unclassifed Manufacturers |
| 中文名称 | 未分类制造商 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 22:30:00 |
| 人工找货 | 2N292价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N292规格书详情
[INTEX/ SEMITRONICS CORP]
alloy-junction germanium transistors
产品属性
- 产品编号：
2N2920L
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 100µA，1mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1mA，5V
- 功率 - 最大值：
350mW
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-78-6
- 描述：
TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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