2N2919L分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | 2N2919L | 
| 参数属性 | 2N2919L 封装/外壳为TO-78-6 金属罐;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 | 
| 功能描述 | NPN SILICON DUAL TRANSISTOR | 
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 | 
| 文件大小 | 304.78 Kbytes | 
| 页面数量 | 4 页 | 
| 生产厂商 | Microsemi | 
| 中文名称 | 美高森美 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 18:21:00 | 
| 人工找货 | 2N2919L价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
2N2919L规格书详情
NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500 /355
产品属性
- 产品编号:2N2919L 
- 制造商:Microchip Technology 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 晶体管类型:2 NPN(双) 
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30mA 
- 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 100µA,1mA 
- 电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO) 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 1mA,5V 
- 功率 - 最大值:350mW 
- 工作温度:200°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 
- 供应商器件封装:TO-78-6 
- 描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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