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2N2907AQCSM	文件：197.7 Kbytes Page：3 Pages	QUAD SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTORS 文件：197.7 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2907AQCSM	文件：197.7 Kbytes Page：3 Pages	QUAD SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTORS 文件：197.7 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
2N2907ARHR	文件：478.04 Kbytes Page：21 Pages	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor 文件：478.04 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2907ARUB	文件：478.04 Kbytes Page：21 Pages	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor 文件：478.04 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2907ASW35	文件：478.04 Kbytes Page：21 Pages	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor 文件：478.04 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2907AUA	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2907AUB	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2907AUB0	文件：478.04 Kbytes Page：21 Pages	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor 文件：478.04 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2907AUB0SW35	文件：478.04 Kbytes Page：21 Pages	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor 文件：478.04 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2907AUBC	文件：105.73 Kbytes Page：6 Pages	RADIATION HARDENED 文件：105.73 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N2907
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC528,BC638,BSW24,BSV47,BSV48,2N3486,3CK9D,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β=300
图片代号：
A-31
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N2907
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO18

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