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2N2906A	文件：52.79 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistors PNP switching transistor in a TO-18 metal package. NPN complements: 2N2222 and 2N2222A. High-speed switching , Driver applications for industrial service. FEATURES • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 60 V). APPLICATIONS • High-speed switching • Driver application 文件：52.79 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
2N2906A	文件：44.59 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS Switching And Linear Application DC to VHF Amplifier Applications 文件：44.59 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N2906A	文件：33.75 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3011 is a silicon epitaxial planar NPN transistor designed for ultra high speed saturated switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：33.75 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2906A	文件：29.38 Kbytes Page：1 Pages	Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP Chip type 2C2904A by Semicoa Semiconductors provides performance similar to these devices. Product Summary: APPLICATIONS: Designed for general purpose switching and amplifier applications. 文件：29.38 Kbytes 页数：1 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2906A	文件：326.11 Kbytes Page：3 Pages	High Speed Switching Transistor Features: • PNP silicon planar switching transistors • Fast switching devices exhibiting short turn-off and low saturation voltage characteristics • Switching and linear application DC and VHF amplifier applications Description High Speed Switching Transistors 文件：326.11 Kbytes 页数：3 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
2N2906A	文件：151.29 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS TRANSISTORS The 2N2906 and 2N2906A are PNP transistors mounted in TO-18 metal package. They are intended for high speed switching and general purpose applications. NPN complements are 2N2221 and 2N2221A . Compliance to RoHS 文件：151.29 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N2906A	文件：103.19 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCHES 文件：103.19 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N2906A	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2906AL	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2906AUA	文件：68.47 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/291 文件：68.47 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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晶体管资料

型号：
2N2906
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC528,BC638,BSW24,BSV47,BSV48,2N3485,3DK9D,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β=120
图片代号：
D-8
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.4

产品属性

产品编号：
2N2906
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，10V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO18

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