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2N2903	文件：83.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2903, A types are silicon NPN dual transistor manufactured by the epitaxial planar process utilizing 2 individual chips mounted in hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications. 文件：83.09 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2903	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2903	文件：102.09 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A Dual NPN silicon transistors designed for differential amplifier applications. 文件：102.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2903	文件：300 bytes Page：1 Pages	BJT	NJS	NJS
2N2903A	文件：83.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON DUAL TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2903, A types are silicon NPN dual transistor manufactured by the epitaxial planar process utilizing 2 individual chips mounted in hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications. 文件：83.09 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2903A	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2903A	文件：300 bytes Page：1 Pages	BJT	NJS	NJS
2N2903A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：DUAL SMALL-SIGNAL BJT	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

晶体管资料

型号：
2N2903(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
BFY81,BFY91,BFY92,2N2639,2N2640,2N2641,2N2642,2N2643,2N2644,2N2913,2N2914,2N2915,2N2916,2N2917,2N2918,2N2919,2N2910,3DG110FX2,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
D-52
vtest：
60
htest：
60000100
atest：
0.05
wtest：
0.3

技术参数

Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Material：
Si

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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