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2N2879	文件：163.29 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 文件：163.29 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
2N2879	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2879	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111	NJS	NJS
2N2879	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-111-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：POWER BJT	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
2N2879
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 100µA，1mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
TO-111-4，接线柱
供应商器件封装：
TO-111
描述：
POWER BJT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N2879供应商更新时间2025-10-30 14:19:00

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