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2N2480A

Dual Transistors

Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)

文件:52.73 Kbytes 页数:1 Pages

Central

2N2480A

DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR

文件:133.4 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2480A

TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

Central

2N2480

20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A

文件:133.41 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2480

Dual Transistors

Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)

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Central

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    40V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    1.2V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    50 @ 1mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    600mW

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-78-6 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-78-6

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更多2N2480A供应商 更新时间2025-12-11 13:30:00