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2N2369A	文件：93.58 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE SWITCHING TRANSISTORS NPN SILICON 文件：93.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2369A	文件：95.34 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-SPEED SATURATED SWITCH DESCRIPTION The 2N2369A is a silicon planar epitaxial NPN transistorin JedecTO-18 metal case. It is designed specifically for high-speed saturated switching applications at current levels from 100 µA to 100 mA. 文件：95.34 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2369A	文件：233.57 Kbytes Page：3 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTOR FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR • HERMETIC TO18 PACKAGE • CECC SCREENING OPTIONS 文件：233.57 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
2N2369A	文件：213.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor 文件：213.11 Kbytes 页数：2 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2369A	文件：31.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED TO-18 PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS 文件：31.96 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2369A	文件：54.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR 文件：54.17 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2369A	文件：66.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 文件：66.37 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2369ACSM	文件：15.86 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES • SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR • HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) • CECC SCREENING OPTIONS APPLICATIONS: Hermetically sealed surface mount version of the popular 2N2369A for high reliability / space applications requiring small size and low wei 文件：15.86 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2369AU	文件：442.79 Kbytes Page：8 Pages	TECHNICAL DATA SHEET NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 文件：442.79 Kbytes 页数：8 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2369AU	文件：54.17 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/317 文件：54.17 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
2N2369A
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
400nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
675MHz
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-18
描述：
TRANS NPN 15V 0.2A TO18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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