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2N2196	文件：80.71 Kbytes Page：2 Pages	Transistors NPN silicium Planar epitaxiaux 文件：80.71 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2196	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
2N2646	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-18	NO 上传：深圳亿达电子经营部	NO
2N2649	文件：0 bytes Page：0 Pages	CAN	MOT 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	MOT
2N2907A	文件：0 bytes Page：0 Pages		RAY 上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	RAY

晶体管资料

型号：
2N2196
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD139,BD169,BD179,BD230,BD237,BD387,BD829,2N3766,3DK30C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>30
图片代号：
E-36
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
15

技术参数

Maximum Transition Frequency：
50(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
800mW
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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更多2N2196供应商更新时间2025-12-23 16:30:00

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