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2N2160

UNIJUNCTION TRANSISTORS

UNIJUNCTION TRANSISTORS

文件:76.36 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N2169

PNP Germanium Transistor

文件:397.72 Kbytes 页数:1 Pages

AMMSEMI

2N2160

Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin TO-111

NJS

NJS

2N2169

PNP Germanium Transistor

AMMSEMI

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    30000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    8V

  • Maximum DC Collector Current:

    2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    100V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:

    1@0.1A@1AV

  • Maximum Collector Base Voltage:

    150V

  • Material:

    Si

  • Configuration:

    Single

  • Category:

    Bipolar Power

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N216供应商 更新时间2026-1-17 9:09:00