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2N215	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2150	文件：65.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 文件：65.64 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2150	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE Small Signal Transistors 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2150	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2150	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2151	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2151	文件：65.64 Kbytes Page：2 Pages	NPN POWER SILICON TRANSISTOR NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 文件：65.64 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2151	文件：98.18 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE Small Signal Transistors 文件：98.18 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2151	文件：124.53 Kbytes Page：1 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTORS NPN SWITCHING TRANSISTORS Ic = 1.0 AMPS 文件：124.53 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2151	文件：69.97 Kbytes Page：3 Pages	5 Amp, 100V, Planar, NPN Power Transistors JAN, JANTX NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 文件：69.97 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

晶体管资料

型号：
2N215
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX52A,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
D-18
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.15

技术参数

Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
8V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.1A@1AV
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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