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2N213	文件：169.34 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM NPN LOW POWER TRANSISTORS 文件：169.34 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2137	文件：123.39 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A GERMANIUM PNP germanium industrial power transistors for driver application in high reliability equipment. 文件：123.39 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2137A	文件：105.82 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A General Description This transistor is a PNP Germanium junction transistor designed primarily for low frequency power applications. It is intended for use in the following class of service: Industrial. 文件：105.82 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2137	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 2A 4-Pin TO-111	NJS	NJS
2N2137A	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2N213(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,2N1302,3BX81B,
最大耗散功率：
0.05W
放大倍数：
图片代号：
D-161
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.05

技术参数

Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
8V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.1A@1AV
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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