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2N2060	文件：53.14 Kbytes Page：2 Pages	UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/270 文件：53.14 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2060	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2060	文件：133.41 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A 文件：133.41 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2060A	文件：133.4 Kbytes Page：1 Pages	DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：133.4 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2060A	文件：52.73 Kbytes Page：1 Pages	Dual Transistors Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power) 文件：52.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2060L	文件：53.14 Kbytes Page：2 Pages	UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/270 文件：53.14 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N2060M	文件：435.55 Kbytes Page：2 Pages	SILICON DUAL NPN TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2060M is a silicon dual NPN transistor utilizing two individual chips mounted in a hermetically sealed metal case designed for differential amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：435.55 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2060	文件：210.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Transistor 文件：210.88 Kbytes 页数：3 Pages	SEMICOA	SEMICOA
2N2060	文件：419.79 Kbytes Page：3 Pages	DUAL MATCHED NPN SILICON TRANSISTOR 文件：419.79 Kbytes 页数：3 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N2060A	文件：19.29 Kbytes Page：2 Pages	DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR 文件：19.29 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB

晶体管资料

型号：
2N2060(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
6
可代换的型号：
BFX70,BFX71,BFX72,2N2223,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
D-52
vtest：
100
htest：
60000100
atest：
0.5
wtest：
0.6

产品属性

产品编号：
2N2060
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
管件
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
功率 - 最大值：
600mW
频率 - 跃迁：
60MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：
TO-78-6
描述：
TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2N206供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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