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744760022A	文件：495.39 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2N2；WE-KI SMT Wire Wound Ceramic Inductor General Information: It is recommended that the temperature of the component does not exceed +125 °C under worst case conditions Ambient Temperature (referring to IR) -40 up to +110 °C Operating Temperature -40 up to +125 °C Storage Conditions (in original packaging) 文件：495.39 Kbytes 页数：6 Pages	WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany. 伍尔特伍尔特集团	WURTH
TCR5BM22A	文件：1.36844 Mbytes Page：16 Pages	丝印：2N2；Package：DFN5B；500 mA CMOS Ultra Low Dropout Regulator 1. Description The TCR5BM series are CMOS single-output voltage regulators with an on/off control input, featuring ultra low dropout voltage, high PSRR, low inrush current and fast load transient response. A differentiating feature is the use of a secondary bias rail as a reference voltage that 文件：1.36844 Mbytes 页数：16 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2N200	文件：108.6 Kbytes Page：1 Pages	P-N-P GERMANIUM TRANSISTOR P-N-P GERMANIUM TRANSISTOR 文件：108.6 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2000	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2001	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N2013	文件：80.28 Kbytes Page：1 Pages	SCR, V(DRM) = 300 V TO 399.9 V Description: SCR, V(DRM)= 300 V to 399.9 V 文件：80.28 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2015	文件：166.44 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A JEDEC TYPE NO. 2N2015 文件：166.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：81.72 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：81.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：81.72 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：81.72 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2017	文件：55.55 Kbytes Page：1 Pages	SMALL SIGNAL TRANSISTORS Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) 文件：55.55 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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技术参数

Series：
TCR5BM
Output Type：
Fixed Output
Application：
Mobile equipment/Camera/Sensor power supply/RF power supply
Feature：
Low dropout voltage/High ripple rejection ratio/Fast load transient response/Small package
Operating Output Current IOUT (Max) (mA)：
500
Operating Input Voltage VIN *(Min)：
VOUT+VDO
Operating Input Voltage VIN *(Max)：
VBIAS
Output VoltageVOUT (Typ.) (V)：
2.2
Output Voltage LineupVOUT (V)：
0.8 to 3.6
Output Voltage Accuracy (±) * (%)：
1.0
Quiescent Current (Typ.) * (μA)：
19
Stand-by Current (Typ.) * (μA)：
0.1
Dropout Voltage (Typ.) * VDO (mV)：
100
Ripple Rejection Ratio (Typ.) * R.R. (dB)：
98
Output Noise Voltage (Typ.) * VNO (μVrms)：
40
Operating Temperature (degC)：
-40 to 85
Output Capacitance COUT (μF)：
≥2.2
Overcurrent Protection：
Y
Thermal Shutdown：
Y
Auto-discharge：
Y
Inrush Current Reduction：
Y
Number of pins：
5
Package name：
DFN5B
Width×Length×Height：
1.2 x 1.2 x 0.38

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更多2N2供应商更新时间2026-3-12 14:56:00

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