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2N2102	文件：118.76 Kbytes Page：1 Pages	AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON 文件：118.76 Kbytes 页数：1 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N2102	文件：233.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR Amplifier Transistor 文件：233.63 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N2102	文件：79.04 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2102, A types are PNP Silicon Transistors designed for high current general purpose amplifier applications, where low leakage and low VCE(SAT) is required. Higher hFE versions are also available on special order. 文件：79.04 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2102	文件：77.71 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUM POWER AMPLIFIER & SWITCH MEDIUM POWER AMPLIFIER & SWITCH The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. They are intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. Compliance to RoHS. 文件：77.71 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
2N2102	文件：147.66 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMEMTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES COMPLEMEMTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES 文件：147.66 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N2102	文件：153.16 Kbytes Page：1 Pages	Diode TP-39 Diode TP-39 文件：153.16 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2102	文件：80.65 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN POWER BJT, I(C) = 1A TO 2.4 A Power Transistors 文件：80.65 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N2102	文件：48.31 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. ■ GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH 文件：48.31 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N2102A	文件：79.04 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2102, A types are PNP Silicon Transistors designed for high current general purpose amplifier applications, where low leakage and low VCE(SAT) is required. Higher hFE versions are also available on special order. 文件：79.04 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N2102A	文件：55.55 Kbytes Page：1 Pages	SMALL SIGNAL TRANSISTORS Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) 文件：55.55 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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技术参数

Series：
TCR5BM
Output Type：
Fixed Output
Application：
Mobile equipment/Camera/Sensor power supply/RF power supply
Feature：
Low dropout voltage/High ripple rejection ratio/Fast load transient response/Small package
Operating Output Current IOUT (Max) (mA)：
500
Operating Input Voltage VIN *(Min)：
VOUT+VDO
Operating Input Voltage VIN *(Max)：
VBIAS
Output VoltageVOUT (Typ.) (V)：
2.2
Output Voltage LineupVOUT (V)：
0.8 to 3.6
Output Voltage Accuracy (±) * (%)：
1.0
Quiescent Current (Typ.) * (μA)：
19
Stand-by Current (Typ.) * (μA)：
0.1
Dropout Voltage (Typ.) * VDO (mV)：
100
Ripple Rejection Ratio (Typ.) * R.R. (dB)：
98
Output Noise Voltage (Typ.) * VNO (μVrms)：
40
Operating Temperature (degC)：
-40 to 85
Output Capacitance COUT (μF)：
≥2.2
Overcurrent Protection：
Y
Thermal Shutdown：
Y
Auto-discharge：
Y
Inrush Current Reduction：
Y
Number of pins：
5
Package name：
DFN5B
Width×Length×Height：
1.2 x 1.2 x 0.38

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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天津市博通航睿技术有限公司	TCR5RG09A,LF	TOSHIBA			100		询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司	TCR5RG12A,LF		24+	N/A	52000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市比特福电子有限公司	TCR5RG28A,LF	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	/	3000	全新、原装	询价
亚泰电子科技有限公司	TCR5RG28A,LF(S	TOSHIBA	22+	SMD	5000		询价

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