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2N2102

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EPITAXIAL PLANAR NPN

DESCRIPTION The2N2102isasiliconPlanarEpitaxialNPNtransistorinJedecTO-39metalcase.Itisintendedforawidevarietyofsmall-signallandmediumpowerapplicationsinmilitaryandindustrialequipments. ■GENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCH

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

2N2102

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AMPLIFIER TRANSISTOR NPN SILICON

AMPLIFIERTRANSISTORNPNSILICON

bocaBoca semiconductor corporation

博卡博卡半导体公司

boca

2N2102

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COMPLEMEMTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

COMPLEMEMTARYSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

2N2102

文件：79.04 Kbytes

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NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N2102,AtypesarePNPSiliconTransistorsdesignedforhighcurrentgeneralpurposeamplifierapplications,wherelowleakageandlowVCE(SAT)isrequired.HigherhFEversionsarealsoavailableonspecialorder.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N2102

文件：77.71 Kbytes

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MEDIUM POWER AMPLIFIER & SWITCH

MEDIUMPOWERAMPLIFIER&SWITCH The2N2102isasiliconPlanarEpitaxialNPNtransistorinJedecTO-39metalcase. Theyareintendedforawidevarietyofsmall-signallandmediumpowerapplicationsinmilitaryandindustrialequipments. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

COMSET

2N2102

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Diode TP-39

DiodeTP-39

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102

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NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR

NPNSILICONPLANARTRANSISTOR AmplifierTransistor

CDIL

CDIL

CDIL

2N2102

文件：80.65 Kbytes

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SI NPN POWER BJT, I(C) = 1A TO 2.4 A

PowerTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102

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GERMANIUM PNP TRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

2N2102

文件：16.16 Kbytes

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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39

SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB

2N2102

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包装：剪切带（CT）带盒（TB） 封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 65V 1A TO39

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

2N2102

文件：100 bytes

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包装：散装 封装/外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 65V 1A TO5

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

2N2102A

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SMALL SIGNAL TRANSISTORS

SmallSignalTransistorsTO-39Case(Continued)

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N2102A

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NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N2102,AtypesarePNPSiliconTransistorsdesignedforhighcurrentgeneralpurposeamplifierapplications,wherelowleakageandlowVCE(SAT)isrequired.HigherhFEversionsarealsoavailableonspecialorder.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

2N2102A

文件：81.72 Kbytes

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Small Signal Transistors

SmallSignalTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102A

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Diode TP-39

DiodeTP-39

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102A

文件：81.72 Kbytes

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Small Signal Transistors

SmallSignalTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102A

文件：131.03 Kbytes

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N-P-N EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS

FORMEDIUM-POWER,HIGH-SPEEDSWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS ●HighBreakdownVoltageCombinedWithVery-LowSaturationVoltage ●DCBeta-GuaranteedFrom100μato1amp

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

2N2102A

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包装：散装 封装/外壳：TO-205AA，TO-5-3 金属罐 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS PNP 65V 1A TO5

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

晶体管资料

  • 型号：

    2N2102(A.L.S)

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    120V

  • 最大电流允许值：

    1A

  • 最大工作频率：

    >120MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSX47,2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DK03E,

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    C-40

  • vtest：

    120

  • htest：

    120000100

  • atest：

    1

  • wtest：

    1

产品属性

  • 产品编号：

    2N2102

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    剪切带（CT）带盒（TB）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 15mA，150mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    2nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 150mA，10V

  • 工作温度：

    175°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-205AD，TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装：

    TO-39

  • 描述：

    TRANS NPN 65V 1A TO39

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市昊创电子有限公司
2N2102
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