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2N1998	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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2N1991	文件：11.12 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package 文件：11.12 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N1997	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
2N1998	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
2N1999	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUM PNP MESA TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
2N1990R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 20V 3-Pin TO-18 Box	NJS	NJS
2N1991	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 20V 3-Pin TO-18 Box	NJS	NJS
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晶体管资料

型号：
2N1991(S)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC160,BC161,BC303,BC304,2N2303,2N2304,2N2905,3CK9B,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
30
htest：
40000100
atest：
0.6
wtest：
0.6

技术参数

Maximum Transition Frequency：
40(Min)MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@150mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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