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2N190	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N190	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N1905	文件：91.22 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM POWER TRANSISTORS GERMANIUM POWER TRANSISTORS 文件：91.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1906	文件：91.22 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM POWER TRANSISTORS GERMANIUM POWER TRANSISTORS 文件：91.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1909	文件：131.5 Kbytes Page：1 Pages	High Power Silicon Controlled Rectifier 110 A RMS 25 to 1200 Volts FEATURES: • High dv/dt With Selection Available • Excellent Surge and I2t Ratings Providing Easy Fusing • Rugged Hermetic Package 文件：131.5 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1909	文件：53.52 Kbytes Page：1 Pages	20 STERN ave. Thyristors SCR 文件：53.52 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1909	文件：173.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers ● High dv/dt-200 V/usec. ● 1600 Amperes surge current ● Low forward on-state voltage ● Package conforming to TO-209AA outline ● Economical for general purpose phase control applications 文件：173.19 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N1909	文件：1.68203 Mbytes Page：4 Pages	Phase Control SCR Features □ Center Fired, di/namic Gate □ All Diffused Design □ Low Gate Current □ Compression Bonded Encapsulation □ Low VTM Applications □ Phase Control □ Power Supplies □ Motor Control □ Light Dimmers 文件：1.68203 Mbytes 页数：4 Pages	POWEREX	POWEREX
2N1905	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1906	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2N190
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC122,AC125,AC126,AC151,AC152,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=42
图片代号：
C-37
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Power Dissipation：
125000mW
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1mA@10mAV
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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