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2N1653	文件：133.02 Kbytes Page：1 Pages	DAP transistors are de-signed for efficient high current switching at high frequencies The 2N1651, 2N1652, and 2N1653 DAP transistors are de-signed for efficient high current switching at high frequencies. The diffused base gives very low input resistance and high cutoff frequency while still maintaining high breakdown voltage. The low input resistance grive better circuit stabiliza 文件：133.02 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N1653	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box	NJS	NJS
2N1893	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-393PIN	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
2N2646	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-18	NO 上传：深圳亿达电子经营部	NO
2N2649	文件：0 bytes Page：0 Pages	CAN	MOT 上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司	MOT

晶体管资料

型号：
2N1653
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
2N1166,2N1167,2N2287,3AD47D,
最大耗散功率：
106W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
120
htest：
999900
atest：
25
wtest：
106

技术参数

Maximum Transition Frequency：
60(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
800mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@15mA@150mAV
Maximum Collector Base Voltage：
75V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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