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2N1307	文件：90.65 Kbytes Page：2 Pages	P-N-P ALLOY-JUNCTION GERMANIUM TRANSISTORS P-N-P ALLOY-JUNCTION GERMANIUM TRANSISTORS 文件：90.65 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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2N1307	文件：1.1394 Mbytes Page：2 Pages	GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.1394 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N1307	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1307	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1307	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 0.3A	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2N1307
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
ASY26,ASY76,ADY77,3AX85C,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
β>60
图片代号：
C-65
vtest：
30
htest：
15000000
atest：
0.3
wtest：
0.15

技术参数

Maximum Power Dissipation：
150mW
Maximum Operating Temperature：
85°C
Maximum Emitter Base Voltage：
25V
Maximum DC Collector Current：
0.3A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.2@0.17mA@10mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Ge
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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