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2N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应	HighDiode 海德	HighDiode
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2N1008B	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N1011	文件：759.16 Kbytes Page：6 Pages	germanium transistors [Semitronics Corp] Germanium Transistors 文件：759.16 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N101I	文件：88.66 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM POWER TRANSISTORS 4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP 文件：88.66 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N101I	文件：88.66 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM POWER TRANSISTORS 4 AMP GERMANIUM PNP 5 AMP GERMANIUM PNP 6 AMP GERMANIUM PNP 文件：88.66 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N100
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_射频/高频放大（HF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.005A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC127,AC176,AC187,ASY28,ASY29,2N1304,2SD30,3BG1,
最大耗散功率：
0.025W
放大倍数：
图片代号：
D-161
vtest：
25
htest：
999900
atest：
0.005
wtest：
0.025

技术参数

Ptot(W)：
0.5
ID(A)：
2
VDSS(V)：
100
VGS(V)：
±20
IDSS(uA)：
1
IDSS(V)：
100
IGSS(nA)：
±100
IGSS(V)：
±20
VGSth(V)：
1.2-2.8
VGSth(mA)：
0.25
PackageOutline：
SOT-89
Arrays：
GDS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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