N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：896.94 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：896.93 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：896.89 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：896.88 Kbytes 页数：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.28934 Mbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：2N06L65；Package：PG-TDSON-8-10；IPG20N06S2L-65A

Features • Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode • AEC Q101 qualified • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green Product (RoHS compliant) • 100% Avalanche tested • Feasible for automatic optical inspection (AOI)

文件：206.52 Kbytes 页数：9 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：2N0609；Package：TO-220；isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·

文件：344.66 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

丝印：2N0612；Package：TO-263-3；OptiMOS Power-Transistor

文件：161.19 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：2N0612；Package：TO-220-3-1；OptiMOS Power-Transistor

文件：161.19 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：2N06L05；Package：TO-263-3；OptiMOS Power-Transistor

文件：415.78 Kbytes 页数：8 Pages

Infineon

英飞凌