STR2P3LLH6芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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STR2P3LLH6	文件：547.07 Kbytes Page：12 Pages	丝印：2K3L；Package：SOT-23；Very low on-resistance Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness 文件：547.07 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多2K3L供应商更新时间2026-1-18 9:03:00