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STR2P3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STR2P3LLH6

功能描述

Very low on-resistance

丝印标识

2K3L

封装外壳

SOT-23

文件大小

547.07 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 12:36:00

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STR2P3LLH6规格书详情

描述 Description

This device is a P-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ H6 technology,

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all

packages.

特性 Features

 Very low on-resistance

 Very low gate charge

 High avalanche ruggedness

 Low gate drive power loss

Applications

 Switching applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2023+
SOT-23
8635
全新原装正品,优势价格
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ST/意法
24+
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