120 V Boot, 3 A / 4 A, Junction-Isolated High Side and Low Side Gate Driver ICs

Features  Level-shift high-side low-side dual channel driver  (2EDL802x) Independently controlled high-side and low-side gate drivers  (2EDL812x) Differential input for superb robustness with inherent shoot-through protection  3 A (2EDL8x23) or 4 A (2EDL8x24) source current capability for

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120 V Boot, 3 A / 4 A, Junction-Isolated High Side and Low Side Gate Driver ICs

Features  Level-shift high-side low-side dual channel driver  (2EDL802x) Independently controlled high-side and low-side gate drivers  (2EDL812x) Differential input for superb robustness with inherent shoot-through protection  3 A (2EDL8x23) or 4 A (2EDL8x24) source current capability for

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Features  Level-shift high-side low-side dual channel driver  (2EDL802x) Independently controlled high-side and low-side gate drivers  (2EDL812x) Differential input for superb robustness with inherent shoot-through protection  3 A (2EDL8x23) or 4 A (2EDL8x24) source current capability for

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Features  Level-shift high-side low-side dual channel driver  (2EDL802x) Independently controlled high-side and low-side gate drivers  (2EDL812x) Differential input for superb robustness with inherent shoot-through protection  3 A (2EDL8x23) or 4 A (2EDL8x24) source current capability for

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Features  Level-shift high-side low-side dual channel driver  (2EDL802x) Independently controlled high-side and low-side gate drivers  (2EDL812x) Differential input for superb robustness with inherent shoot-through protection  3 A (2EDL8x23) or 4 A (2EDL8x24) source current capability for

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EiceDRIVER ™ - 双通道结隔离栅极驱动器 - 2EDL8123G

EiceDRIVER ™ 2EDL8123G 双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为电信和数据通信 DC-DC 转换器等半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。建议使用业界领先的 3 A 版本来减少 MOSFET 开关损耗。2EDL8123G 具有真正的差分输入结构和内置直通保护，使其成为 DC-DC 砖式转换器中非对角驱动初级侧半桥级的完美选择。EiceDRIVER ™ 2EDL8 系列的所有栅极驱动器 IC 均采用行业标准的无引线封装和引脚排列。它们均具有集成的 120 V 自举二极管以及 +/- 2 ns 的精确通道间传播延迟匹配。 • 无需外部自举二极管\n• 强大的下拉电流降低了开关噪声导致的导通风险\n• 低死区时间损耗\n• -8 V/+15 V 共模抑制;

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120 V 高压侧和低压侧 2EDL8123G3C EiceDRIVER ™

2EDL8123G3C 是一款高端和低端驱动器，专为电信和数据通信应用等高级开关转换器而设计。它采用具有内置滞后的差分输入来增强抗噪能力。2EDL8XXX 系列所有变体的共同特点是集成的 120 V 自举二极管以及精确的通道间传播延迟匹配（典型值为 2 ns），可确保伏秒平衡并避免磁芯饱和。 • 差分输入具有卓越的稳健性，并具有固有的直通保护\n• 适用于高端和低端驱动器的 3 A 拉电流能力\n• 强大的 5 A 高端/6 A 低端灌电流能力\n• 片上自举二极管\n• 快速开关频率\n• 低死区损耗\n• -8 V/+15 V 共模抑制\n• 小型 3 mm x 3 mm SON 封装\n• 符合 RoHS 标准的无铅封装;

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Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：INT. POWERSTAGE/DRIVER

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Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：INT. POWERSTAGE/DRIVER

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