120 V 启动 3 A 高侧和低侧结隔离栅极驱动器

2EDL8033G4B 设计用于驱动半桥配置中的高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动自举电压高达 120V 的高端 MOSFET，并提供完整的 3A 电流能力。高端偏置电压是使用集成自举二极管的自举技术产生的。独立输入允许独立控制高端和低端域。 • 3 A 和 4 A 拉电流 / 6 A 灌电流输出能力\n• 集成自举二极管\n• -5 A 输出引脚反向电流能力\n• 8 V 至 17 V 电源电压工作范围\n• 快速传播延迟 (<35 ns)\n• 采用 SON-8 (4x4) 封装。\n• 指定工作结温范围为 -40ºC 至 125ºC;

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丝印：2ED8033G4B；Package：PG-VDSON-8-5；120 V boot, 3 A / 4 A, junction-isolated high-side and low-side gate driver IC

Features • Level-shit high-side low-side dual channel driver • Independent high-side and low-side TTL logic inputs • 3 A & 4 A source / 6 A sink output current capability • 120 V absolute maximum boot voltage • Integrated bootstrap diode • -10 V to 20 V input pin capability for increased rob

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