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2EDL05N06PJ	文件：1.025839 Mbytes Page：22 Pages	Thin-film-SOI-technology 文件：1.025839 Mbytes 页数：22 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDL05N06PJ	文件：1.02554 Mbytes Page：22 Pages	High voltage gate driver IC 文件：1.02554 Mbytes 页数：22 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2EDL05N06PJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V half-bridge gate driver IC with integrated bootstrap diode EiceDRIVER™ Compact - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control MOS-transistors • Individual control circuits for both outputs\n• Filtered detection of under voltage supply\n• All inputs clamped by diodes\n• Off line gate clamping function\n• Asymmetric undervoltage lockout thresholds for high side and low side\n• Insensitivity of the bridge output to negative transient voltage;	Infineon 英飞凌	Infineon
2EDL05N06PJXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.28 A
Output Current Source：
0.36 A
Output Current Sink min：
0.57 A
Output Current Sink：
0.7 A
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
MOSFET
Package name：
PG-DSO-14
UVLO Input Off：
8.3 V
UVLO Output Off：
8.3 V
Turn On Propagation Delay max：
460 ns
Turn On Propagation Delay：
310 ns
Turn On Propagation Delay min：
210 ns
Turn Off Propagation Delay max：
440 ns
Turn Off Propagation Delay：
300 ns
Turn Off Propagation Delay min：
200 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
17.5 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
17.5 V
Rise Time max：
80 ns
Rise Time：
48 ns
Fall Time max：
40 ns
Fall Time：
24 ns
UVLO Input On：
9.1 V
UVLO Output On：
9.1 V

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