EiceDRIVER™ 2EDB8259F, 2EDBx259Y Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package

Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B

文件：3.97905 Mbytes 页数：32 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：2B7259B；Package：DSO14-150mil；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package

Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B

文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages

Infineon

英飞凌

丝印：2B7259B；Dual-channel isolated gate-driver ICs in 150 mil DSO package

Features • 2-channel isolated gate driver for Si and SiC MOSFETs and GaN HEMTs power switches • Fast input-to-output propagation (38 ns) with excellent stability (+9/-5 ns) • Strong output stage: 5 A/9 A source/sink • Fast output clamping for VDDA/B

文件：4.28606 Mbytes 页数：32 Pages

Infineon

英飞凌

快速、坚固、双通道、功能强大、增强型 MOSFET 隔离栅极驱动器，提供精确和稳定的时序控制

EiceDRIVER ™ 2EDB7259Y 是一款具有浮动输出的双通道隔离栅极驱动器 IC。强大的 5A/9A 源/灌双通道栅极驱动器具有高达 150V/ns CMTI，可在高功率开关噪声环境中与 CoolMOS ™ 、CoolGaN ™ GIT HEMT 一起稳定运行。38ns 的短传播延迟具有较低的温度和生产变化，使电源系统设计能够实现更高的效率。 • 高达 3000V 的输入至输出隔离\n• 通道间隔离\n• 高 CMTI（共模抑制比）>150V/ns\n• 可选死区时间控制\n• 14 引脚封装，增强;

Infineon

英飞凌

Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：隔离器 隔离器 - 栅极驱动器 描述：DRIVER IC PG-DSO-14

Infineon

英飞凌