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2ED28073J06F	文件：1.86914 Mbytes Page：26 Pages	600 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features  Negative VS transient immunity of 70 V, dV/dt immune  Lower di/dt gate driver for better noise immunity  Floating channel designed for bootstrap operation  Operating voltages (VS node) upto + 600 V  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 625 V  Integrated bootstrap diode  文件：1.86914 Mbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2ED28073J06FXUMA1	文件：1.86914 Mbytes Page：26 Pages	600 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode Features  Negative VS transient immunity of 70 V, dV/dt immune  Lower di/dt gate driver for better noise immunity  Floating channel designed for bootstrap operation  Operating voltages (VS node) upto + 600 V  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 625 V  Integrated bootstrap diode  文件：1.86914 Mbytes 页数：26 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
2ED28073J06F	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成自举二极管 (BSD) 的 600 V 半桥栅极驱动器 IC \n优势:\n• Better noise immunity due to optimized low di/dt output stage\n• Integrated Bootstrap Diode for reduced BOM cost\n• -70 V negative VS increases reliability and robustness\n• Latch-up immune increased reliability\n• Flexible, small PCB footprint, and easy to use device;	Infineon 英飞凌	Infineon
2ED28073J06FXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：LEVEL SHIFT JUNCTION ISO	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Voltage Class [V]：
600
Output Current Source [A]：
0.02
Output Current Sink [A]：
0.08
Channels：
2
Configuration：
Half Bridge
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT MOSFET
Features：
Integrated bootstrap diode
Infineon Package name：
PG-DSO-8
Turn On Propagation Delay [ns]：
530
Turn Off Propagation Delay [ns]：
530
Input Vcc min [V]：
10
Input Vcc max [V]：
20
Output Vbs min [V]：
10
Output Vbs max [V]：
20
Fall Time [ns]：
225
Rise Time [ns]：
1500
UVLO Input On [V]：
8.9
UVLO Output On [V]：
8.9

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更多2ED28073J06F供应商更新时间2026-1-17 10:31:00

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