1200 V half-bridge gate driver with Active Miller Clamp and Short Circuit Clamp

Features  Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V  Operating voltages (VS node) upto + 1200 V  Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetitive 700

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1200 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode and OCP

Features • Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation • Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V • Operating voltages (VS node) upto + 1200 V • Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetive 700 ns

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1200 V half-bridge gate driver with Active Miller Clamp and Short Circuit Clamp

Features  Unique Infineon Thin-Film-Silicon On Insulator (SOI)-technology Floating channel designed for bootstrap operation  Maximum bootstrap voltage (VB node) of + 1225 V  Operating voltages (VS node) upto + 1200 V  Negative VS transient voltage immunity of 100 V With repetitive 700

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具有 AMC（有源米勒钳位）、SCC（短路钳位）的 1200 V 半桥栅极驱动器 IC

EiceDRIVER ™ 1200 V 半桥栅极驱动器 IC，具有 2.3 A 拉电流、2.3 A 灌电流和交叉传导预防功能，采用足够的爬电距离、间隙距离 DSO-20（300mils）封装，适用于 1200 V SiC MOSFET 和 IGBT 功率器件。2ED1324S12P 支持有源米勒钳位 (AMC)、短路钳位 (SCC) 和交叉传导预防，以在足够的爬电/间隙距离封装 DSO-20 中实现最佳的开关性能。基于所使用的 SOI 技术，它对瞬态电压具有出色的耐受性。由于该器件不包含寄生晶闸管结构，因此该设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有非常强的抵抗力。 • 独特的薄膜（SOI）技术\n• 用于引导操作的浮动通道。\n• 最大。靴子。伏特。（VB 节点）+1225 V\n• 工作电压 < + 1200 V\n• 负 VS 瞬态电压。免疫力\n• 2.3A/2.3峰值输出源/接收器\n• 集成过流保护\n• ± 5% 高精度。参考阈值\n• 小于 1 us 的过流感应\n• 集成有源米勒钳位\n• 集成。短路钳位功能。\n• 积分。超快速自举二极管;

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