Technical Specifications

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AMMSEMI

高压硅堆

HVDIODE品牌多孔型高压硅堆系列产品，是由多个微型单元PN结芯片组合构成的高压整流器件，实现高耐电压的层状单元结构；此种组结构外部为多孔结构设计，大大提高了高压硅堆的表面积，进而提高了多孔型高压硅堆的散热效果。产品参数范围：反向耐压：80KV～200KV;正向电流：1A～10A;反向恢复时间：200nS～2000nS.工作频率：50Hz～50KHz. 本系列产品主要特点：1、低反向漏电流、瞬态10mS正向浪涌电流保护；2、耐冲击电压、具有雪崩电压击穿保护特性；3、优良的持续放电特性；4、高耐热性能，PN结点温度范围高达125℃～175℃；5、可选先进的高温玻璃钝化芯片封装技术；6、工艺环保;

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