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EN29F040	文件：223.38 Kbytes Page：32 Pages	4Megabit(512Kx8-bit)FlashMemory [EON] GENERALDESCRIPTION TheEN29F040isa4-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory.Organizedinto512Kwordswith8bitsperword,the4Mofmemoryisarrangedineightuniformsectorsof64Kbyteseach.Anybytecanbeprogrammedtypicallyin10µs.TheEN29F040	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
EN29F040A	文件：273.37 Kbytes Page：35 Pages	4Megabit(512Kx8-bit)FlashMemory GENERALDESCRIPTION TheEN29F040Aisa4-Megabit,electricallyerasable,read/writenon-volatileflashmemory.Organizedinto512Kwordswith8bitsperword,the4Mofmemoryisarrangedineightuniformsectorsof64Kbyteseach.Anybytecanbeprogrammedtypicallyin10µs.TheEN29F040Afeatur	EONEon Silicon Solution Inc. 宜扬科技宜扬科技股份有限公司	EON
FT29F040B	文件：3.89885 Mbytes Page：36 Pages	4Megabit(512Kx8-Bit)CMOS5.0Volt-only,UniformSectorFlashMemory	FORCE Force Technologies Ltd	FORCE
HY29F040A	文件：282.26 Kbytes Page：40 Pages	512Kx8-bitCMOS5.0volt-only,SectorEraseFlashMemory	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
M29F040	文件：232.46 Kbytes Page：31 Pages	4Mbit512Kbx8,UniformBlockSingleSupplyFlashMemory DESCRIPTION TheM29F040isanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblocklevel,andprogrammedByte-by-Byte. ■M29F040isreplacedbytheM29F040B ■5V±10SUPPLYVOLTAGEforPROGRAM, ERASEandREADOPERATIONS ■FASTACCESSTIME:70ns ■BYTEPROGRAMMINGTIME:1	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F040B	文件：178.82 Kbytes Page：21 Pages	4Mbit(512Kbx8,UniformBlock)SingleSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29F040Bisa4Mbit(512Kbx8)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM29F040B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F040B	文件：190.45 Kbytes Page：21 Pages	4Mbit(512Kbx8,UniformBlock)SingleSupplyFlashMemory SUMMARYDESCRIPTION TheM29F040Bisa4Mbit(512Kbx8)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasingle5Vsupply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaROMorEPROM.TheM29F040B	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29F040B	文件：407.93 Kbytes Page：20 Pages	4Mbit(512Kbx8,UniformBlock)SingleSupplyFlashMemory	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MBM29F040C	文件：421.95 Kbytes Page：41 Pages	FLASHMEMORY4M(512Kx8)BIT ■GENERALDESCRIPTION TheMBM29F040Cisa4M-bit,5.0V-onlyFlashmemoryorganizedas512Kbytesof8bitseach.TheMBM29F040Cisofferedina32-pinPLCCand32-pinTSOP(I)package.Thisdeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwiththestandardsystem5.0VVCCsupply.A12.0VVPPisno	spansionSPANSION 飞索飞索半导体	spansion
MBM29F040C	文件：424.68 Kbytes Page：40 Pages	4M(512KX8)BIT ■GENERALDESCRIPTION TheMBM29F040Cisa4M-bit,5.0V-onlyFlashmemoryorganizedas512Kbytesof8bitseach.TheMBM29F040Cisofferedina32-pinPLCCand32-pinTSOP(I)package.Thisdeviceisdesignedtobeprogrammedin-systemwiththestandardsystem5.0VVCCsupply.A12.0VVPPisno	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu

详细参数

型号：
29F040C
制造商：
MCNIX
制造商全称：
Macronix International
功能描述：
4M-BIT [512K x 8] CMOS SINGLE VOLTAGE 5V ONLY EQUAL SECTOR FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	29F040C-70	FUJITSU	23+	PLCC32	9516		询价
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