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STB28NM60ND	文件：1.67094 Mbytes Page：22 Pages	丝印：28NM60ND；Package：D2PAK；N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 23 A FDmesh??II Power MOSFETs in D짼PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. T 文件：1.67094 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STF28NM60ND	文件：1.67094 Mbytes Page：22 Pages	丝印：28NM60ND；Package：TO-220FP；N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 23 A FDmesh??II Power MOSFETs in D짼PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. T 文件：1.67094 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP28NM60ND	文件：1.67094 Mbytes Page：22 Pages	丝印：28NM60ND；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 23 A FDmesh??II Power MOSFETs in D짼PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. T 文件：1.67094 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW28NM60ND	文件：1.67094 Mbytes Page：22 Pages	丝印：28NM60ND；Package：TO-247；N-channel 600 V, 0.13 廓 typ., 23 A FDmesh??II Power MOSFETs in D짼PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages Description These FDmesh™ II Power MOSFETs with intrinsic fast-recovery body diode are produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, these revolutionary devices feature extremely low on-resistance and superior switching performance. T 文件：1.67094 Mbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
28NM60ND
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 600 V, 0.120 OHM TYP., 24 A FDMESH(TM) II POWER MO - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 24A TO-220AB
功能描述：
N-channel 600 V, 0.120 Ohm typ., 24 A, TO-220
功能描述：
N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A

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深圳市华高宇电子有限公司	STP28NM60ND	STM	21+		1000	TO-220-3	询价
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