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25N100

型号:RM25N100DF;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS =100V,ID =25A RDS(ON) 25mΩ @ VGS=10V RDS(ON) 38mΩ @ VGS=4.5V High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation

文件:731.45 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

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更多25N100供应商 更新时间2025-8-7 14:01:00