25P06芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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25P06	文件：506.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：25P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 25P06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：506.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
SSD25P06	文件：709.7 Kbytes Page：4 Pages	丝印：25P06；Package：TO-252；P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：709.7 Kbytes 页数：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
RM25P60D3	文件：592.99 Kbytes Page：7 Pages	丝印：25P06Q；Package：PDFN3X3；P-Channel Enhancement Mosfet Feature -60V,25A Rds (on) 文件：592.99 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM25P60D3V	文件：692.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：25P06Q；Package：PDFN3X3；P-Channel Enhancement Mosfet Feature 60V-25A Rds(on) 文件：692.38 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
25P06	文件：506.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：25P06；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 25P06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：506.24 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

更多25P06供应商更新时间2025-9-19 18:40:00