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RM25P60D3V

丝印:25P06Q;Package:PDFN3X3;P-Channel Enhancement Mosfet

Feature 60V-25A Rds(on)

文件:692.38 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RM25P60D3V

MOSFET

Rectron

丽正国际

RM25P60D3

P-Channel Enhancement Mosfet

Feature -60V,25A Rds (on)

文件:592.99 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

丽正国际

RM412-086-192-9500-918

AIRBORN
N/A

RM412-220-192-9501-919

AIRBORN
coc

技术参数

  • Id @ 25C (A):

    25 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    50 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    23 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    35 W

  • Vgs(th) (typ):

    1.5 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    1408 pF

  • Polarity:

    P-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    DFN3X3

  • Certified (AEC-Q101...etc):

    AEC-Q101

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
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MITSUBISHI
专业模块
MODULE
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原厂
2023+
模块
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专营模块,继电器,公司原装现货
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更多RM25P60D3V供应商 更新时间2025-10-5 14:01:00