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AP2317S-ADJTR	文件：156.56 Kbytes Page：13 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
APM2317A	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TR	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TRG	文件：1.04054 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2317AC-TRL	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2317AC-TRL	文件：1.040369 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2317	文件：396.52 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2317	文件：398.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CPC2317NTR	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole8-PinSOICOptoMOS짰Relay	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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产品属性

产品编号：
2317-V-RC
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
2300
包装：
散装
类型：
环形
材料 - 磁芯：
铁粉
容差：
±15%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
60 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，垂直（开放式）
大小 / 尺寸：
1.280" 直径 x 0.650" 宽（32.51mm x 16.51mm）
描述：
FIXED IND 270UH 5.5A 60 MOHM TH

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