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CZRB2011	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2011	文件：19.93 Kbytes Page：2 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
D2011	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	IntrinsicallySafeAnalog-TemperatureMultiplexerExpanderDIN-RailModelD2011M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMI G.M. International	GMI
D2011M	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	IntrinsicallySafeAnalog-TemperatureMultiplexerExpanderDIN-RailModelD2011M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMI G.M. International	GMI
D2011UK	文件：19.93 Kbytes Page：2 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2011	文件：81.42 Kbytes Page：7 Pages	Low-Voltage,LowrON,SingleSPDTAnalogSwitchInSC-89Package DESCRIPTION TheDG2011isalowon-resistance,single-pole/doublethrowmonolithicCMOSanalogswitch.Itisdesignedforlowvoltageapplicationswithguaranteedoperationat2V.TheDG2011isidealforportableandbatterypoweredequipment,requiringhighperformanceandefficientuseofboard	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2011	文件：113.67 Kbytes Page：8 Pages	Low-Voltage,LowrON,SingleSPDTAnalogSwitchInSC-89Package	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DMN2011UFDE	文件：344.64 Kbytes Page：7 Pages	LowGateThresholdVoltage	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2011UFDF	文件：607.74 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2011UFX	文件：636.32 Kbytes Page：7 Pages	LowOn-Resistance	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
2011AQBI-TRG
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
2.8W Mono Class D Audio Power Amplifier with AGC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2011AQBI-TRG供应商更新时间2025-7-24 16:00:00

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