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STP200N3LL

丝印:200N3LL;Package:TO-220;N-channel 30 V, 2.15 m(ohm) typ., 120 A Power MOSFET in a TO-220 package

Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness  Low gate drive power loss Applications  Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET with very low RDS(on) in all packages.

文件:681.26 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

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更多200N3LL供应商 更新时间2025-9-11 8:31:00