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1SS373

DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)

High Speed Switching Application ● Small package ● Low forward voltage: VF = 0.23V (typ.) @IF = 5mA

文件:121.5 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

1SS373

HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

Features ● Small Package ● Low forward voltage :VF = 0.23V(TYP.) IF = 5mA

文件:31.67 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

1SS373

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features • Low forward voltage Applications • High speed switching

文件:182.5 Kbytes 页数:3 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

1SS373WT

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications

文件:130.33 Kbytes 页数:1 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

1SS373WT

肖特基二极管

CBI

创基电子

技术参数

  • VRRM(V):

    15

  • IFSM(A):

    1

  • VF(V):

    0.3

  • VFIF(mA):

    5

  • IR(uA):

    20

  • IRVR(V):

    10

  • ctot(PF):

    40

  • PackageOutline:

    SOD-523

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
25+
SOD523
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SOD-523
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SOT523
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TOSHIBA
24+
SOD-523
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更多1SS373供应商 更新时间2026-1-19 15:49:00