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1SS370	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching diode Feature：High breakdown voltage\nInternal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nAssembly bases：日本 / 泰国\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Average Forward Current IO 0.1 A \nReverse Voltage VR 200 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
1SS370W	文件：175.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode Silicon Epitaxial Planar Diodes High Voltage Switching Diode For high voltage and high speed switching applications 文件：175.04 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1SS370_07	文件：207.64 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage, High Speed Switching Applications 文件：207.64 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS370_17	文件：80.79 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Switching Diode 文件：80.79 Kbytes 页数：2 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
1SS370W	文件：425.24 Kbytes Page：2 Pages	丝印：F5；Package：SOD-323；Silicon Epitaxial Planar Diodes 文件：425.24 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1SS370W_11	文件：425.24 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diodes 文件：425.24 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1SS370W	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ST 意法半导体	ST
1SS370TE85LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Product Category：
Switching diode
VR (Max) (V)：
200
IO (Max) (A)：
0.1
Number of Circuits：
1
internal_connection：
Single
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
USM
Width×Length×Height(mm)：
2.0 x 2.1 x 0.9
Package Size(mm^2)：
4.20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	1SS370	TOSHIBA/东芝	25+	SOT-323	32000	TOSHIBA/东芝全新特价1SS370即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市弘为电子有限公司	1SS370	TOSHIBA	24+	SOT23-3	2146	原装现货假一罚十	询价
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更多1SS370供应商更新时间2026-1-19 11:17:00

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