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1SS321	文件：116.75 Kbytes Page：2 Pages	DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) Low-Voltage High-Speed Switching ● AEC-Q101 Qualified (Note1) ● Low forward voltage: VF(2) = 0.42 V (typ.) ● Low reverse current: IR = 500 nA (max) ● Small package: SC-59 文件：116.75 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS321	文件：155.06 Kbytes Page：3 Pages	Low-Voltage High-Speed Switching Low-Voltage High-Speed Switching ● AEC-Q101 Qualified (Note1) ● Low forward voltage: VF(2) = 0.42 V (typ.) ● Low reverse current: IR = 500 nA (max) ● Small package: SC-59 文件：155.06 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS321	文件：34.43 Kbytes Page：1 Pages	LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING Features ● Low forward voltage: VF = 0.42 V(Typ) ● Low reverse current: IR =500 nA(Max) ● Small packag : SC-59(SOT-23MOD) 文件：34.43 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
1SS321	文件：130.229 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE For low voltage high speed switching application Features • Low forward voltage • Low reverse current 文件：130.229 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
1SS321	文件：175.36 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 文件：175.36 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS321	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode Feature：Low leakage current\nInternal Connection：Common cathode\nNumber of Circuits：2\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Average Forward Current IO 0.05 A \nReverse Voltage VR 10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
1SS321TE85LF	文件：155.06 Kbytes Page：3 Pages	Low-Voltage High-Speed Switching Low-Voltage High-Speed Switching ● AEC-Q101 Qualified (Note1) ● Low forward voltage: VF(2) = 0.42 V (typ.) ● Low reverse current: IR = 500 nA (max) ● Small package: SC-59 文件：155.06 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS321_07	文件：175.36 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 文件：175.36 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1SS321,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Common cathode
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
0.05
VR/VRRM (Max)(V)：
10
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.0005
Features：
Low leakage current
Number of Circuits：
2
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
S-Mini
AEC-Q101：
Qualified(*)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
Package Size(mm^2)：
7.25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1SS321供应商更新时间2025-11-24 18:56:00

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