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1SMA11AT3G

丝印:QZ;Package:SMB;400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

文件:64.68 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

1SMA11AT3G

丝印:QZ;Package:SMB;400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

文件:144.36 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

1SMA11A

Surface mount diode

Sunmate

森美特

1SMA11AT3

PLASTIC SURFACE MOUNT ZENER OVERVOLTAGE TRANSIENT SUPPRESSORS 5.0–78 VOLTS VR 400 WATTS PEAK POWER

Specification Features:\n• Reverse Stand–Off Voltage Range: 5.0–78 V\n• Peak Power — 400 Watts @ 1.0 ms\n• ESD Rating of Class 3 (16 kV) per Human Body Model\n• Pico Seconds Response Time (0 V to BV)\n• Flat Handling Surface for Accurate Placement\n• Package Design for Top Side or Bottom Circuit Boa

恩XP

恩智浦

恩XP

1SMA11AT3G

表面贴装型瞬态抑制二极管

此系列产品的寿命将于2017年12月31日结束,不建议用于新的设计。 其将被 SMAJ系列取代。\n SMA系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 它具有一流的箝位能力,高浪涌保护能力,低齐纳阻抗与快速响应时间。 SMA采用Littelfuse独家提供的经济高效、高度可靠的封装,是通信系统、汽车、数字控制、过程控制、医疗设备、商用机器、电源和众多其他工业/消费应用的理想选择。 • 反向断态电压范围: 5.0-78 V\n• 峰值功率 -- 1.0 ms条件下为400瓦特\n• 每个人体模型3类ESD额定值(>16 kV)\n• 皮秒级响应时间(0 V至BV)\n• 扁平处理表面,可确保准确放置\n• 封装设计适用于顶部或底部电路板安装\n• 可提供带卷包装\n• 小尺寸封装\n• 外壳: 无空隙转移成型塑料\n• 表面: 所有外表面均耐腐蚀,配有易于焊接的引线\n• 极性: 阴极由模制极性凹口指示\n• 安装位置: 任何位置\n• 焊接时外壳最高温度: 10秒为260°C\n• 可提供无铅包装\n• SZ前缀针对汽车和其他有独特地点和控制变更要求的应用\n• 符合A;

Littelfuse

力特

1SMA11AT3

Package:DO-214AC,SMA;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMA

ONSEMI

安森美半导体

1SMA11AT3G

Package:DO-214AC,SMA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMA

Littelfuse Inc.

Littelfuse Inc.

技术参数

  • VRWM(V):

    11

  • VBR min(V):

    12.2

  • VBR max(V):

    14.0

  • IT(MA):

    1.0

  • Vc(V):

    18.2

  • IPP(A):

    22.0

  • PACKAGE:

    SMA(DO-214AC)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SUNMATE(森美特)
2019+ROHS
SMA(DO-214AC)
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更多1SMA11A供应商 更新时间2025-10-8 16:01:00