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1N914B	文件：106.44 Kbytes Page：1 Pages	HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES • trr ... 4.0 ns (MAX) • BV ... 100 V (MIN) 文件：106.44 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N914B	文件：62.89 Kbytes Page：1 Pages	FAST SWITCHING DIODE HIGH CONDUCTANCE ULTRA FAST SWITCHES DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES • trr ... 4.0 ns (MAX) • BV ... 100 V (MIN) 文件：62.89 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N914B	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N914B	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N914B	文件：44.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Devices SWITCHING DIODES 文件：44.73 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N914B	文件：15.85 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR SWITCHING DIODE REVERSE VOLTAGE: 75V FORWARD CURRENT: 150mA FEATURES • Small glass structure ensures high reliability • Fast switching • Low leakage • High temperature soldering guaranteed: 250°C/10S/9.5mm lead length at 5 lbs tension 文件：15.85 Kbytes 页数：1 Pages	SSE	SSE
1N914B	文件：39.24 Kbytes Page：2 Pages	HIGH SPEED SWITCHING DIODES FEATURES : • High switching speed: max. 4 ns • Continuous reverse voltage:max. 75 V • Repetitive peak reverse voltage:max. 100 V • Repetitive peak forward current: max. 225 mA • Pb / RoHS Free 文件：39.24 Kbytes 页数：2 Pages	SYNSEMI	SYNSEMI
1N914B	文件：174.7 Kbytes Page：4 Pages	Switching Diode Features • Fast switching speed • Electrically indentical to standard JEDEC • High Conductance • Axial lead package ideally suited for automatic insertion 文件：174.7 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
1N914B	文件：210.7 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal Switching Diodes REVERSE VOLTAGE: 75 V CURRENT： 75 mA Features ◇ Glass sealed envelope. (MSD) ◇ VRM=100V guaranteed ◇ High reliability 文件：210.7 Kbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
1N914B	文件：94.31 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features • Fast switching speed • High reliability 文件：94.31 Kbytes 页数：1 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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产品属性

产品编号：
1N914B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
4pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N914B供应商更新时间2025-12-11 9:31:00

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