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1N663	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTER DIODE Switching 文件：147.61 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N663	文件：102.25 Kbytes Page：1 Pages	GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES GENERAL PURPOSE DIFFUSED SILICON PLANAR DIODES ● BV ... 100V (MIN) @ 100 μA 文件：102.25 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N663	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode Switching 80V 0.15A 2-Pin DO-35	NJS 新泽西半导体	NJS
1N6630	文件：99.84 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA FAST RECTIFIERS Features • AXIAL AND SURFACE MOUNT CONFIGURATIONS • HIGH VOLTAGE WITH ULTRA FAST RECOVERY TIME • VERY LOW SWITCHING LOSS AT HIGH TEMPERATURE • LOW CAPACITANCE • METALLURGICALLY BONDED • NON-CAVITY GLASS PACKAGE • SURFACE MOUNT DIODES THERMALLY MATCHED FOR USE ON CERAMIC PRINTED WIRING BOARD 文件：99.84 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N6630	文件：50.47 Kbytes Page：3 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier • Hermetic, non-cavity glass package • Metallurgically bonded • Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o 文件：50.47 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6630	文件：429.11 Kbytes Page：3 Pages	ULTRA FAST RECTIFIERS ULTRA FAST RECTIFIERS Note 1: Low Current Reverse Recovery Time Test Conditions IF = 0.5A, IRM = 1.0A, IR(REC) = 0.25A. Note 2: High Current Reverse Recovery Time Test Conditions IF = 2.0A, 100A/µs, MIL-STD-750, METHOD 4031, CONDITION D. 文件：429.11 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
1N6630	文件：76.7 Kbytes Page：2 Pages	HYPER FAST RECOVERY RECTIFIER FEATURES: ● Hyper Fast Recovery: 30 - 60 nsec maximum ● PIV up to 1200 Volts ● Low Reverse Leakage Current ● Hermetically Sealed ● Void Free Construction ● For High Efficiency Applications ● Typical Weight: 0.75 g (Axial Leaded); 0.45 g (SMS) ● TX, TXV, and Space Level Screening Available2 文件：76.7 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI
1N6630	文件：100.26 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA FAST RECTIFIERS DESCRIPTION This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/590 and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 2.0 to 4.0 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 100 文件：100.26 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N6630U	文件：50.47 Kbytes Page：3 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier • Hermetic, non-cavity glass package • Metallurgically bonded • Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o 文件：50.47 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON
1N6630US	文件：50.47 Kbytes Page：3 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier • Hermetic, non-cavity glass package • Metallurgically bonded • Operating and Storage Temperature: -65oC to +175o 文件：50.47 Kbytes 页数：3 Pages	SENSITRON	SENSITRON

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
80V
Peak Reverse Recovery Time：
500ns
Peak Reverse Current：
1@75VuA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
4A
Peak Forward Voltage：
1@0.1AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 200°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
500mW
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Continuous Forward Current：
0.15A
Configuration：
Single

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