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1N649中文资料SILICON GENERAL PURPOSE DIODE数据手册NJS规格书

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厂商型号

1N649

参数属性

1N649 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SIGNAL OR COMPUTER DIODE

功能描述

SILICON GENERAL PURPOSE DIODE

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :1N649

  • 生产厂家

    :NJS

  • Peak Reverse Current

    :0.2uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current

    :3A

  • Peak Forward Voltage

    :1V

  • Operating Junction Temperature

    :-65 to 175°C

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Maximum Power Dissipation

    :600mW

  • Maximum Operating Temperature

    :175°C

  • Maximum Continuous Forward Current

    :0.4A

  • Configuration

    :Single

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