1N6479数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
| 厂商型号 |
1N6479 |
| 参数属性 | 1N6479 封装/外壳为DO-213AB，MELF（玻璃）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
| 功能描述 | Surface-Mount Glass Passivated Junction Rectifier |
| 封装外壳 | DO-213AB，MELF（玻璃） |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 威世科技半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 18:00:00 |
| 人工找货 | 1N6479价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N6479规格书详情
特性 Features
Superectifier structure for high reliability condition
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop
应用 Application
For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.
技术参数
- 产品编号：
1N6479-E3/97
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
SUPERECTIFIER®
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
8pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-213AB，MELF（玻璃）
- 供应商器件封装：
DO-213AB
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
21+ |
NA |
21000 |
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询价 | ||
VISHAY |
2018+ |
DO-213AB |
6528 |
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GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
7500 |
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Microsemi |
25+ |
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VISHAY(威世) |
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DO213AB |
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Vishay |
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VISHAY(威世) |
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DO-213AB |
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Vishay |
24+ |
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VISHAY |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
DO-213AB |
9350 |
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